大功率电器中科院,

大家好，今天小编关注到一个比较有意思的话题，就是关于大功率电器中科院的问题，于是小编就整理了5个相关介绍大功率电器中科院的解答，让我们一起看看吧。

1. 国产盾构机是100%国产吗？
2. 歼8电传飞控设计为何选择名不见经传的德国公司？
3. 中国目前光刻机处于怎样的水平？
4. 地暖多少度人体最舒适？
5. 如何看待杨振宁竭力阻止中国建设大型高能对撞机？

国产盾构机是100%国产吗？

国产盾构机成功实现100%完全国产化。盾构机配备6台主电机，单机功率210千瓦，总驱动功率高达1260千瓦，是目前世界上同类型同级别盾构机中最大的。台盾构机的关键部件由中科院沈阳金属研究所研制，实现了技术突破。

歼8电传飞控设计为何选择名不见经传的德国公司？

先说说歼-8的电传飞控，再说说MBB公司。

歼-8最初的电传飞控系统的设计工作开始于20世纪80年代，当时国内技术实在是太落后，于是沈飞便委托联邦德国MBB公司完成歼-8的电传飞控设计。双方于1985年签订了项目合同。

很快，沈飞便拿了一架歼-8I的原型机去改装电传飞控，这架飞机也就是歼-8 ACT，该机搭载了一套MBB公司协助开发的模拟式三余度电传飞控，是国内最早的一款搭载电传飞控的飞机。1989年首飞成功，该机于1991年的一次试飞事故中坠毁，飞行员生还。

虽然歼-8ACT坠毁了，但是积累的经验还是很多的。早在1988年，沈飞便开始***在歼-8II上搭载电传飞控，这次选择了请法国的达索公司与英国的马可尼公司协助开发。1992年后，局势风云突变，又找上俄罗斯中央流体力学研究院合作。这次拿的是一架歼-8B进行改装，还在飞机前面加了一对鸭翼，飞控***用的是数字式四余度电传飞控。技术跨度非常大，该机也就是著名的歼-8II ACT，于1996年底首飞成功，1999年完成所有试飞任务退役封存。

至此，国内基本掌握了自行开发高性能的数字式电传飞控的能力，之后，电传飞控的设计开发工作被从沈飞转往中科院自动化所。所以歼-20的飞控可不是成飞写的，而是中科院自动化所，沈飞也是出了不少的力的。

啥？你说1998年首飞的歼-10原型机是电传飞控？不好意思，这玩意还是引进的。至于后来量产型号，那又是另外一回事了。

歼-8原型机，与空军过去装备的歼-5、歼-6、歼-7外形大同小异，最大的特征就是机头进气，在西方战机普遍***用机翼两侧进气，机头可以装载大功率雷达的背景下，歼-8从开始研发，就是一型落后的机型了。

此后，为提高雷达的探测功能，在歼8原型机的基础上，将机头进气改成了机翼两侧进气，成了空军第一架尖头的战机歼-8Ⅱ，被国内军迷称为“空中美男子”，在空中飞行的姿势非常矫健。

歼-7包括以前仿制的所有米格战机，***用的全都是人工机械传动系统，由操纵机构、机械传动机构和操纵面组成，从操控杆到舵面电机之间复杂的机械结构，都需飞行员人工操控，既复杂又耗费脑力和体力。电传操控系统，也称为线传操纵系统，是一种先进的电子飞行控制系统，最早诞生在欧洲的狂风战机上，紧接着是便是全球最好销的美制F-16战机上，但通过使用电传操纵系统，使飞行器性能得到巨大提高的典范则是俄罗斯的苏-27。

国内军工以前从未接触过电传操控系统，当时东西方蜜月期间，就有了向西方学习借鉴的机会，成飞选择了法国达索公司作为学习和帮助的对象，沈飞则选择了名不见经传的德国MBB公司，进行三代机电传飞控系统的设计。

成飞选择量产了幻影系列战机名声在外的法国达索公司，当然非常好理解了，但沈飞却选择名声不够响亮，可能国内某些军迷迄今为止都未听说过的德国MBB公司，确实出乎了外界的意料。

1983年，航空部和沈飞的代表飞赴欧洲寻找技术合作单位，第一站就是选择德国MBB公司，第二站是英国马可尼公司，事实上在欧洲，法国的飞控水平远比德国出色，但由于马克尼公司开价太高等原因，1985年沈飞和MBB公司签订了技术合作合同。德国MBB公司，是联邦德国简称西德最主要航空企业，欧洲狂风战机的主要研发国，其他两家企业一家是英国BAe公司，另一家是意大利阿莱尼亚公司，三国联合研制了双座、双发、超音速变后掠翼狂风战机战机，可谓欧洲一代名机。

于是，在MBB公司帮助下，一架机头进气民间称“平头机”的歼-8战机，被改装了ACT主动控制技术试验样机，但由于MBB公司设计的软件存在致命的缺陷，导致歼-8ACT样机于1991年4月23日，在降落过程中发生失控并坠毁。

沈飞再赴欧洲为歼-8ⅡACT技术联系合作，本次选择的是法国达索公司和英国马可尼公司，由此可见在与德国MBB公司展开合作之后，即便对飞控掌握技术能力弱鸡的沈飞，也已看出MBB公司的能力有限了，掉了一架歼-8ACT样机损失极大，给沈飞上了非常生动的一课。

中国目前光刻机处于怎样的水平？

日前（2020/05/14），全球芯片制造设备巨头阿斯麦（A***L)）公司与无锡高新区签署战略合作协议。原以为这是引领核心技术产业发展的一面旗帜？但只是一场美丽的误会，A***L只是在无锡升级光刻设备技术服务基地。

若设备进口不算，还停留在实验室阶段的也不算，实际上代表国产光刻机最高水平的目前还仍是上海微电子的90nm制程工艺。

那为什么会有人认为咱们光刻机已经进入了22nm时代？甚至说5nm工艺？

其实是误解。关于5nm的说法其实是刻蚀机技术，并非光刻机。早在2018年的时候，中微半导体就宣布掌握了5nm刻蚀机技术，还通过了台积电5nm工艺校验。

但是，光刻机国产化进程显然要比刻蚀机要缓慢太多！22nm时代至多是踏入了半只脚。

2018年11月，中科院光电所经过7年研发，成功验收了“超分辨光刻装备项目”。据悉，这是世界上首台分辨力最高的紫外超分辨光刻装备，能够实现22nm光刻工艺。

4月份上海微电子也宣布实现了22nm光刻机的研发突破。但就没有透露其它的细节信息。这样也只能是用“停留”在试验室来定论了，毕竟目前看来光刻机22nm节点离商业化落地还较远，短时间内无法迅速落地并进行生产。

目前来看，我国自研的光刻机还依然处于制程工艺为90纳米的水准。

这个水准的光刻机，隶属于第四代步进扫描式光刻机，***用的是波长为193纳米的，深紫外光ArF光源，其制程工艺在135纳米-65纳米之间。

与浸没式光刻机相比差半代，与EUV光刻机相比差一代。

国内这型制程工艺在90纳米的光刻机，也就是由上海微电子生产的SSX-600/20型光刻机。

该光刻机***用了四倍缩小物镜，自适应调焦调平技术，六自由度工件台掩膜台技术，可以适应8寸或者12寸的晶圆。

也就是说，目前国内最先进的光刻机，也只能达到90纳米的制程工艺，不过经过多次曝光之后，估计制程工艺还会进一步缩小。

而国际上最先进的，制程工艺最低的，就是A***L集成的EUV光刻机。该光刻机的制程工艺已经达到了7纳米，***用了波长为13.5纳米的EUV光源；镀了近百层钼和硅制成薄膜的反射镜，而薄膜的粗糙度控制在零点几纳米级别；还有运动精度误差控制在1.8纳米的双工件台。以上只是EUV光刻机，最为重要的三大部件。而一整台EUV光刻机是由10万多个零部件，且还要经过工程师上百万次的调试，才可以交付使用。

先来介绍什么是光刻机。光刻机（Mask Aligner) 又名：掩模对准曝光机。在生产芯片过程中，由于集成电路很细，就比如麒麟980芯片是7nm工艺的，就代表该芯片中电路宽度为7nm，并且电路数量动辄几亿甚至几十亿条，显然不能用机械雕刻，这就需要用“光”来雕刻电路，这就是光刻机的用途。

为了达到目的，科学家在金属上覆盖上一层光刻胶，然后利用光刻机去照射，那些被光线照射到的光刻胶就消失了，然后再用化学物质腐蚀，那么电路的形状就出来了。可见，光刻机在芯片、电路板的生产过程中多么重要。

正是因为光刻机的精度高、技术要求高，光刻机的价格一直居高不下，动辄几千万美元。更可气的是最先进的光刻机美国不卖给中国，这也是为什么国内芯片达不到高精度，连生产工具都掌握在别的国家手里，生产出的芯片还能比得过别的国家吗？

非常遗憾的是，现在国内的光刻机还处于起步阶段，水平落后世界很多。目前国内能够量产的光刻机只能够光刻90nm的大规模集成电路，跟最先进7nm的设备差距可以说是极大的。

就在上周四新华社发文称，国家重大科研装备研制项目——“超分辨光刻装备研制”在成都成功通过专家组验收。报道称该设备是世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机。笔者也有幸去了中科院光电所旁听此次验收会，写了报道，还算熟悉，无法苟同一些漫无边际的瞎扯。

中科院研发的这台光刻机并不能用来CPU，只能用在一些技术要求较低的场景。在验收会上有记者问：该光刻设备能不能打破国外芯片的垄断？光电所专家回答说，光刻机用于芯片需要还攻克大量技术难题，目前距离还很遥远。

从目前来看，中国是有能力研发光刻机的，也成功量产了许多。但是要和最先进的光刻机比，国内还相差甚远。不过我们也不需要为之担忧，在这方面中国本来起步就晚，现在比不过欧美国家也是正常的。都是相信在不久的将来，光刻机这一难题终将被攻克！

我国光刻机和荷兰差距巨大，现在荷兰a***l光刻机已经可以生产7nm的芯片，而我国的光刻机刚刚实现90nm的芯片光刻机功能，差距太大。至少差了五代的产品。

生产我国光刻机，代表光刻机生产最高水平的是上海微电子的前道光刻机，目前可以生产90nm芯片，而正在研发65nm的芯片设计，这样的升级难度比从0到90nm低得多，所以预计很快就可以生产65nm和45nm的芯片了。

上海微电子的后道封装光刻机已经在销售和出口了，卖的还不错，这个领域全球市场占有率在40%，所以基础的实力还是有的。

关于国产光刻机目前处于什么水平，网上的各种消息让人搞的有点乱。一边有人说我们的光刻机仍然处于90nm水平，一边又有人说我们的光刻机已经处于5nm水平了，国产光刻机究竟什么水平？

关于这个90nm和5nm水平，大部分是混淆了两个机器，虽然这两个机器名字只有一字之差，但是它所代表的意义就大不相同。

国产光刻机水平：目前是90nm水平，其它更加先进的仍旧处于实验室阶段，想要实现商用还需要很长一段时间。

2018年时中科院的“超分辨光刻装备研制”通过验收，它的光刻分辨力达到22nm，结合双重曝光技术后，未来还可用于制造10nm级别的芯片。

但是这也是仅仅处于实验室阶段，也就是想要真正的投入商用还是需要很长一段时间。

国产蚀刻机水平：中微半导体做的蚀刻机已经达到了5nm水平，也得到了台积电的相关[_a***_]，可以说是非常领先的。

这里大部分人就是混淆了这个光刻机和蚀刻机两个概念，虽然它们只有一字之差，但是意义却大不相同。全球能做顶级蚀刻机的有好几家，而能做最顶级光刻机的只有荷兰的A***L一家。

在芯片生产过程中，光刻机相当于在一块晶圆上复印了一张画的图案（也就是芯片内部电路图的图案）而蚀刻机作用就是把光刻机复印的图案进行雕刻。

相比于光刻机，蚀刻机的地位并不是非常的重要，因为全球范围能做顶级蚀刻机的有好几家厂商，能做顶级光刻机的只有A***L一家独大。佳能和尼康也可以做光刻机，但是与A***L根本不是一个级别的。

可以说在芯片生产过程中，光刻机相当于一个人体的头部起着控制作用，而蚀刻机只能说是人体的四肢。脑部有选择性，它可以不用你这个四肢，也就是换用其它家的顶级蚀刻机，而光刻机就独此一家。

地暖多少度人体最舒适？

35~50℃，最大不应该超过60℃。

根据《地面辐射供暖技术规程》规定：

低温热水地面辐射供暖系统的供、回水温度应由计算确定，供水温度不应大于60℃。

民用建筑供水温度宜***用35~50℃，供回水温差不宜大于10℃。

低温热水地面辐射供暖系统的工作压力，不应大于0.8Mpa;当建筑物高度超过50m时，宜竖向分区设置。

家里开通地暖的话，需要调节到合适的温度，太高或太低都不好。那地暖开多少度比较合适？带大家一起了解下吧。地暖***暖温度标准是在18度-22度之间，这是人体感受最舒适的温度。

地暖温度设定在18度--22度之间是人体感受最舒适的，从费用上讲，也是相对经济的***暖温度。当然，这个数值不是绝对的，因为还有很多因素会直接影响地暖温度的设定。 影响地暖温度的因素 1、设计人员应根据热负荷选用合适的盘管间距。间距过大，辐射散热量小，则可能影响地暖温度。

2、地面结构不同，对外散热量各不相同，可能出现地板辐射热量不能满足热负荷，造成房间不热。

3、室内存在大功率电器，或者家具庞大，影响地暖散热。

4、根据房屋结构、朝向不同，应选用不同的热负荷，如果选用一样的，则可能出现设计热负荷小于房间的实际***暖热负荷的情况，造成房间不热。

5、***暖环路上未设置排气装置，造成憋气，系统不热。 以上这些都会影响地暖的温度，除此之外，还存在设计不规范、安装不合理以及一些外在因素等等，这些都会影响地暖的温度，如果地暖安装使用正常，那么地暖最理想的温度应该在18度--22度，这是我们使用地暖最合理的温度。

如果家中的地暖在冬季的时候能烧到屋里头23度左右。这个温度是人体最舒服的温度。有的家中烧到二十五六度，如果到了这个二十五六度的时候人体感觉非常热，但外面的温度非常凉。如果出去是容易感冒的，因此地暖不应该烧的太热。

一是浪费煤气，再一个是为了人体不要太热，家中有二十二三度的温度在冬季是最舒服的感觉了。

根据国标规定冬季供暖空气温度和用户实际使用习惯，日常室内温度控制在18℃到22℃为宜，建议以居室内功能区域不同设置温度，如室内设置18℃到20℃温度范围；卧室、起居室设置18℃到22℃温度范围；厕所、门厅、走廊设置18℃到20℃温度范围。

需要注意的是，设置的温度越高，耗能就越大，一般地暖温度设置在25℃以上的话，耗能会比21℃增加20%到50%左右。

地暖的优缺点：

地暖的优点：

1、舒适度高

地暖作为***暖神器，舒适度高是公认的优点之一。地暖将散发热量的热媒暗埋在地板之下，热量由下向上传递，室内温度从脚到头部递减，这种散热方式形成的热梯度完全符合传统中医“足温顶凉”的养生之道。人处于室内可以明显感受到脚暖头凉的舒适感。

2、散热均匀

地暖由于是铺设在地下，利用整个地面进行散热，散热更均匀，保持房间每个角落都温度均匀，不存在温度死角。

3、不占室内空间

地暖暗埋在地下，完全不占用室内空间，更加方便做装修设计和室内空间布局。对室内装修的美观度不会造成任何影响。现在中小户型的房子成为流行趋势，地暖不占空间的优点对中小户型更友好，中小户型的房子再也不用担心装了暖气后房间变得更狭小局促。

如何看待杨振宁竭力阻止中国建设大型高能对撞机？

杨振宁先生其实并不是阻止建设大型高能对撞机。只是不赞成现在建设。

因为在中国科研领域。有太多的可以出成果，并且需要资金的项目。例如可控核聚变技术例如Fast等很多现在属于前沿的科学领域。都需要大量的资金支持。

而大型高能对撞机。一期投资需要400亿。如果发现成果的话，二期需要上千亿。

而可控核聚变技术所。所使用的托卡马克装置造价将近五个亿，Fast，造价将近七个亿。大型高能对撞机会挤占其他科研领域的科研经费。

这些资金并不会从民生军事，经济等领域来进行抽调。所以这就相当于将现有的科学资金划出相当大的一部分来做，这件事情。会大大影响其他现有的科学进展。

而支持一方的观点，是中国现在处于建立高能对撞机的窗口期，中国如果建立大型高能对撞机非常有可能引来人口红利，吸引全世界的科学家。并且主导未来的高能物理研究。所以中国要建设高能对撞机是肯定的。

但是争论是在于是现在建设还是以后建设。双方的论点论据都十分充足。并且都十分值得肯定，所以这些还是需要国家根据整体的科学规划。通过长远的未来利益来考虑。

怎么说呢，这件事应该支持杨振宁的比较多，毕竟建造大型对撞机花费的钱太多：

美国和欧洲都曾***建造过大型对撞机，当初他们的预算都处于可接受范围内。然而，随着建造进度的增加，二者赫然发现预算是远远不够的，至少需要预算1-2倍的钱才行。美国及时止损了，停止了大型对撞机的建造。而欧洲却坚持建造，最终虽然使得欧洲成为了研究粒子物理的中心，但是花费却也极大，而且所得的研究并没有为欧洲带来实质性的利益。特别是在粒子物理以及高能物理预言的粒子基本都已发现的前提下，欧洲的大型对撞机依然满足不了现代科学的需求了，所以而建造更大的对撞机的呼声也逐渐显露了。

王怡芳院士正式基于研究粒子物理的目的，提出我们要建立更大的大型对撞机。然而杨振宁确认为建造大型对撞机太费钱，至少需要200亿美亿。而且，就是建立起来了，对我国人民生活水平的提升又有什么显著帮助呢？现在我们科研的重点是以社会需求为导向，以人民的幸福生活为导向，所以这么多钱投入到这个项目，实在是不值。就算是真的出几个诺奖成果，又有什么意思呢？

其实，多希望国家能够把更多的钱投入科研领域，现在的基因申请真的是太难了，很多科研人员把拿到基金比喻为范进中举，说明了科研基金的难中。所以，希望国家可以把更多的钱用在基金上面，让科研人员有项目，有钱实现自己的科研想法，而不是把钱集中在某几个大型项目上面。

到此，以上就是小编对于大功率电器中科院的问题就介绍到这了，希望介绍关于大功率电器中科院的5点解答对大家有用。