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E5:IGBT超温, 5秒后进入待机状态。IGBT:绝缘栅双极晶体管(Iusulated Gate Bipolar Transistor)简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MO***ET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。
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